EDI設備的化學清洗及再生

雖然EDI膜塊的進水條件在很大的程度上減少了膜塊內部阻塞的機會，但是隨著設備運行時間的延展，EDI膜塊內部水道還是有可能產生阻塞，這主要是EDI進水中含有較多的溶質，在濃水室中形成鹽的沉淀。如果進水中含有大量的鈣鎂離子（硬度超過0.8ppm）、CO2 和較高的 pH 值，將會加快沉淀的速度。遇到這種情況，我們可以通過化學清洗的方法對EDI膜塊進行清洗，使之恢復到原來的技術特性。

 

通常判斷 EDI 膜塊被污染堵塞可以從以下幾個方面進行評估判定：

1、在進水溫度、流量不變的情況下，進水側與產水側的壓差比原始數據升高 45%。

2、在進水溫度、流量不變的情況下，濃水進水側與濃水排水側的壓差比原始數據升高45%。

3、在進水溫度、流量及電導率不變的情況下，產水水質（電阻率）明顯下降。

4、在進水溫度、流量不變的情況下，濃水排水流量下降35%。

 

膜塊堵塞的原因主要有下面幾種形式：顆粒/膠體污堵；無機物污堵；有機物污堵；微生物污堵。（EDI 清洗注意：在清洗或消毒之前請先選擇合適的化學藥劑并熟悉安全操作規程，切不可在組件電源沒有切斷的狀態下進行化學清洗。）詳細如下：

1、顆粒/膠體污堵

進水顆粒度≥5μm 時會造成進水流道堵塞，引起膜塊內部水流分布不均勻，從而導致 膜塊整體性能降低。如果EDI膜塊的進水不是直接由 RO 產水端進入 EDI 膜塊，而是通過RO產水箱經過增壓泵供水，建議在進入EDI膜塊前端增設保安過濾器（≤0.2μm）。 在組裝EDI設備時，所有的連接管道系統應沖洗干凈以預防管道內的顆粒雜質進入膜塊。

2、無機物污堵

如果 EDI 進水含有較多的溶質且超出設計值或者回收率超過設計值時,將導致濃水室和陰極室的結垢，生成鹽類物質析出沉淀，通常結垢的類型為鈣、鎂離子生成的碳酸鹽。即便這類物質的濃度很小，接觸時間也很短，但隨著運行時間的累加，仍有發生結垢的可能，這種硬度結垢很容易通過酸洗去除。按照方案1中的方法，使用低PH溶液在系統內部循環清洗，可以去除濃水室和陰極室的結垢。

當進水中的鐵和錳含量高，或者高TDS的水以外進入到EDI膜塊時，也會使淡水室的離子交換樹脂或者濃水室形成無幾物污堵?？梢圆捎梅桨?/span>2進行清洗。

3、有機物污堵

當進水有機污染物TOC或TEA含量超過設計標準時，淡水室的離子交換樹脂和離子膜會發生有機污堵。可以采用方案3的方法，用高PH值的藥水對淡水室及濃水室循環清洗可以將有機分子清除出離子交換樹脂對這種污堵進行清洗。

4、微生物污堵

當設備運行環境適于微生物生長，或者進水中存在較多的細菌和藻類的時候，EDI膜塊和系統也會發生微生物污堵。可以采用方案3、4中的方法用高PH鹽水進行清洗。如果微生物污堵情形比較嚴重時，可以采用方案5進行清洗。如果同時伴有無機物污堵， 可以按照方案6加入酸洗步驟。

對于極嚴重的微生物污堵，可以采用方案7或8以高PH 藥劑清洗。

 

 

 

 

 

清洗方法時間：

清洗方法	時間（分鐘）	備注
酸洗	30-50
堿洗	30-50
鹽水清洗	35-60
消毒	25-40
沖洗	≥50
再生	≥120

單個膜塊清洗藥液配用量：

膜塊產水量	藥液配用量(L)	備注
0.5T/H	50	1、酸洗溫度 15-25℃ 2、堿洗溫度 25-30℃ 3、配藥液用水必須是RO產水或高于RO產水的去離子水
1T/H	80
2T/H	110
3T/H	150
5T/H	200

清洗用化學藥品規格：

藥品名稱	推薦等級	備注
鹽酸HCL	化學純或試劑級
氫氧化鈉NaOH	化學純或試劑級	液態：50%w/w
氯化鈉NaCL	食品級、化學純或試劑級	食品級≥99.8%
過氧化氫H2O2	化學純	30%
過氧乙酸CH3COOOH	化學純

 

安全注意事項：

1、在配置清洗藥液時，必須穿戴好防護服、防護眼鏡和防護手套。

2、需要清洗的設備管路必須是與其他連接設備的連接管路完全隔離的。

3、需要清洗的設備其電源必須是完全切斷并有“正在操作，不得送電”的安全警示。

4、整個清洗過程中清洗的工作壓力不能超過 0.15MPa。

 

清洗設備組件

1、清洗循環泵（耐腐蝕泵）

2、清洗水箱（PP）

3、耐腐蝕清洗軟管（與清洗泵適配）

4、耐腐蝕閥門（UPVC）

5、耐腐蝕壓力表

6、過濾器（≤1μm）

工具：pH 試紙（廣泛）；溫度計；計時表

 

一、濃水室結垢清洗

1、記錄清洗前所有數據。

2、分離EDI設備與其他設備的連接管路

3、連接清洗裝置，使清洗泵通過濃水管路進入EDI膜塊再回到清洗水箱，濃水進、出水閥開啟，關閉EDI淡水進水閥和產水閥。

4、在清洗水箱配置2%濃度的鹽酸清洗液。

5、啟動清洗泵，調節濃水進水閥，以規定的流量循環清洗（酸洗步驟）。（參見附表）

6、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離濃水排水閥至地溝。

7、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。

8、打開EDI進水閥和產水閥，同時對兩個水室進行沖洗。

9、檢測濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。

10、各個閥門，恢復原始各設計流量數據。

11、恢復 EDI 各個管路與其他系統的連接。

12、開啟 PLC 控制柜電源，向 EDI 膜塊送電，轉入正常運行，并作好初次運行的數據記錄。

 

二、淡水室結垢清洗

1、記錄清洗前所有數據。

2、分離EDI設備與其他設備的連接管路

3、連接清洗裝置，使清洗泵通過進水管路分別進入EDI膜塊的淡水室和濃水室，再回到清洗水箱，開啟所有的進出水閥門。

4、在清洗水箱配置2%濃度的鹽酸清洗液。

5、啟動清洗泵，分別調節濃水、進水閥，以規定的流量循環清洗（酸洗步驟）。（參見附表）

6、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離濃水排水閥至地溝。

7、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。

8、分別檢測淡水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。

9、調節各個閥門，恢復原始各設計流量數據。

10、停機，恢復EDI各個管路與其他系統的連接。

11、開啟PLC控制柜電源，向EDI膜塊送電，進行再生（再生步驟），直至電阻率達到出水要求為止。

12、轉入正常運行，并作好初次運行的數據記錄。

 

三、有機物污堵清洗

1、記錄清洗前所有數據。

2、分離EDI設備與其他設備的連接管路

3、連接清洗裝置，使清洗泵通過進水管路分別進入EDI膜塊的淡水室和濃水室，再回到清洗水箱，開啟所有的進出水閥門。

4、在清洗水箱配置1%濃度的氫氧化鈉（NaOH） 2%鹽（NaCl）的清洗液。

5、啟動清洗泵，分別調節濃水、進水閥，以規定的流量循環清洗（堿洗步驟）。（參見附表）

6、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離濃水排水閥至地溝。

7、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。

8、分別檢測產水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。

9、調節各個閥門，恢復原始各設計流量數據。

10、停機，恢復EDI各個管路與其他系統的連接。

11、開啟PLC控制柜電源，向EDI膜塊送電，進行再生（再生步驟），直至電阻率達到出水要求為止。

12、轉入正常運行，并作好初次運行的數據記錄。

 

四、有機物污堵和結垢

1、記錄清洗前所有數據。

2、分離EDI設備與其他設備的連接管路

3、連接清洗裝置，使清洗泵通過進水管路分別進入EDI膜塊的淡水室和濃水室，再回到清洗水箱，開啟所有的進出水閥門。

4、在清洗水箱配置2%濃度的鹽酸清洗液。

5、啟動清洗泵，分別調節濃水、進水閥，以規定的流量循環清洗（酸洗步驟）。參見附表）

6、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離濃水排水閥至地溝。

7、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。

8、分別檢測產水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。

9、在清洗水箱配置1%濃度的氫氧化鈉（NaOH） 2%鹽（NaCl）的清洗液。

10、啟動清洗泵，分別調節濃水、進水閥，以規定的流量循環清洗（堿洗步驟）。（參見附表）

11、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離濃水排水閥至地溝。

12、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。

13、分別檢測產水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。

14、調節各個閥門，恢復原始各設計流量數據。

15、停機，恢復EDI各個管路與其他系統的連接。

16、開啟PLC控制柜電源，向EDI膜塊送電，進行再生（再生步驟），直至電阻率達到出水要求為止。

17、轉入正常運行，并作好初次運行的數據記錄。

 

微生物污堵可采用方案 3 進行；微生物污堵和結垢可采用方案 4 進行。

 

五、嚴重的微生物污堵

1、記錄清洗前所有數據。

2、分離EDI設備與其他設備的連接管路

3、連接清洗裝置，使清洗泵通過進水管路進入EDI膜塊的淡水室、 濃水室，再回到清洗水箱，開啟所有的進出水閥門。

4、在清洗水箱配置2%濃度的鹽（NaCl）清洗液。

5、啟動清洗泵，調節淡水、濃水進水閥，以規定的流量循環清洗（鹽洗步驟）。（參見附表）

6、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離產水、濃水排水閥至地溝。

7、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。

8、分別檢測產水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。

9、在清洗水箱配置 0.04%濃度的過氧乙酸(CH3COOOH) 0.2%的過氧化氫（H2O2）清洗液。

10、啟動清洗泵，分別調節淡水、濃水進水閥，以規定的流量循環清洗（消毒步驟）。（參見附表）

11、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離濃水排水閥至地溝。

12、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。

13、分別檢測產水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。

14、在清洗水箱配置 2%濃度的鹽（NaCl）清洗液。

15、啟動清洗泵，調節淡水、濃水進水閥，以規定的流量循環清洗（鹽洗步驟）。（參見附表）

16、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離產水、濃水排水閥至地溝。

17、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。

18、分別檢測產水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。

19、調節各個閥門，恢復原始各設計流量數據。

20、停機，恢復EDI各個管路與其他系統的連接。

21、開啟PLC控制柜電源，向EDI膜塊送電，進行再生（再生步驟），直至電阻率達到出水要求為止。

22、轉入正常運行，并作好初次運行的數據記錄。

 

六、嚴重的微生物污堵和結垢

1、記錄清洗前所有數據。

2、分離EDI設備與其他設備的連接管路

3、連接清洗裝置，使清洗泵通過進水管路進入EDI膜塊的淡水室、濃水室，再回到清洗水箱，開啟所有的進出水閥門。

4、在清洗水箱配置2%濃度的鹽酸清洗液。

5、啟動清洗泵，分別調節濃水、進水閥，以規定的流量循環清洗（酸洗步驟）。（參見附表）

6、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離濃水排水閥至地溝。

7、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。

8、分別檢測淡水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。

9、在清洗水箱配置2%濃度的鹽（NaCl）清洗液。

10、啟動清洗泵，調節淡水、濃水進水閥，以規定的流量循環清洗（鹽洗步驟）。（參見附表）

11、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離產水、濃水排水閥至地溝。

12、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。

13、分別檢測產水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。

14、在清洗水箱配置0.04%濃度的過氧乙酸(CH3COOOH) 0.2%的過氧化氫（H2O2）清洗液。

15、啟動清洗泵，分別調節淡水、濃水進水閥，以規定的流量循環清洗（消毒步驟）。

16、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離濃水排水閥至地溝。

17、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。

18、分別檢測產水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。

19、在清洗水箱配置2%濃度的鹽（NaCl）清洗液。

20、啟動清洗泵，調節淡水、濃水進水閥，以規定的流量循環清洗（鹽洗步驟）。

21、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離產水、濃水排水閥至地溝。

22、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。

23、分別檢測產水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。

24、調節各個閥門，恢復原始各設計流量數據。

25、停機，恢復EDI各個管路與其他系統的連接。

26、開啟PLC控制柜電源，向EDI膜塊送電，進行再生（再生步驟），直至電阻率達到出水要求為止。

27、轉入正常運行，并作好初次運行的數據記錄。

 

七、極嚴重的微生物污堵

1、記錄清洗前所有數據。

2、分離EDI設備與其他設備的連接管路

3、連接清洗裝置，使清洗泵通過進水管路進入EDI膜塊的淡水室、濃水室，再回到清洗水箱，開啟所有的進出水閥門。

4、在清洗水箱配置2%濃度的鹽（NaCl）清洗液。

5、啟動清洗泵，調節淡水、濃水進水閥，以規定的流量循環清洗（鹽洗步驟）。

6、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離產水、濃水排水閥至地溝。

7、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。

8、分別檢測產水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。

9、在清洗水箱配置0.04%濃度的過氧乙酸(CH3COOOH) 0.2%的過氧化氫（H2O2）清洗液。

10、啟動清洗泵，分別調節淡水、濃水進水閥，以規定的流量循環清洗（消毒步驟）。

11、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離濃水排水閥至地溝。

12、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。

13、分別檢測產水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。

14、在清洗水箱配置1%濃度的氫氧化鈉（NaOH） 2%鹽（NaCl）的清洗液。

15、啟動清洗泵，分別調節濃水、進水閥，以規定的流量循環清洗（堿洗步驟）。

16、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離濃水排水閥至地溝。

17、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。

18、分別檢測淡水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。

19、調節各個閥門，恢復原始各設計流量數據。

20、停機，恢復EDI各個管路與其他系統的連接。

21、開啟PLC控制柜電源，向EDI膜塊送電，進行再生（再生步驟），直至電阻率達到出水要求為止。

22、轉入正常運行，并作好初次運行的數據記錄。

 

八、極嚴重的微生物污堵和結垢

1、記錄清洗前所有數據。

2、分離EDI設備與其他設備的連接管路

3、連接清洗裝置，使清洗泵通過進水管路進入EDI膜塊的淡水室、濃水室，再回到清洗水箱，開啟所有的進出水閥門。

4、在清洗水箱配置2%濃度的鹽酸清洗液。

5、啟動清洗泵，分別調節濃水、進水閥，以規定的流量循環清洗（酸洗步驟）。

6、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離濃水排水閥至地溝。

7、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。

8、分別檢測淡水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。

9、在清洗水箱配置2%濃度的鹽（NaCl）清洗液。

10、啟動清洗泵，調節淡水、濃水進水閥，以規定的流量循環清洗（鹽洗步驟）。

11、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離產水、濃水排水閥至地溝。

12、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。

13、分別檢測產水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。

14、在清洗水箱配置0.04%濃度的過氧乙酸(CH3COOOH) 0.2%的過氧化氫（H2O2）清洗液。

15、啟動清洗泵，分別調節淡水、濃水進水閥，以規定的流量循環清洗（消毒步驟）。

16、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離濃水排水閥至地溝。

17、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。

18、分別檢測產水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。

19、在清洗水箱配置1%濃度的氫氧化鈉（NaOH） 2%鹽（NaCl）的清洗液。

20、啟動清洗泵，調節淡水、濃水進水閥，以規定的流量循環清洗（堿洗步驟）。

21、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離產水、濃水排水閥至地溝。

22、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。

23、分別檢測產水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。

24、調節各個閥門，恢復原始各設計流量數據。

25、停機，恢復EDI各個管路與其他系統的連接。

26、開啟PLC控制柜電源，向EDI膜塊送電，進行再生（再生步驟），直至電阻率達到出水要求為止。

27、轉入正常運行，并作好初次運行的數據記錄。

 

 

 

1、連接清洗裝置，使清洗泵通過進水管路分別進入EDI膜塊的淡水室和濃水室，再回到清洗水箱，開啟所有的進出水閥門。

3、在清洗水箱配置1%濃度的氫氧化鈉（NaOH） 5%鹽（NaCl）的清洗液。

4、啟動清洗泵，分別調節濃水300L、淡水3000L流量循環清洗30分鐘。

5、接入RO反滲透純水，清洗50分鐘。

6、分別檢測產水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。

7、調節各個閥門，淡水水量3000L，濃水水量300L

8、電流調至2A運行12小時以上。

9、作好初次運行的數據記錄。